报告题目：半导体纳米结构中的等离激元
报 告 人：陈佳宁研究员
中国科学院物理研究所
报告时间：11月27日（周三）15:30
报告地点：南区生命科学楼504
主办单位：原子与分子物理研究所
作者简介：
陈佳宁研究员，博士生导师。1981年1月生于辽宁大连，籍贯江苏无锡。先后毕业于大连理工大学应用物理专业学士，大连理工大学凝聚态物理博士。之后在瑞典隆德大学 (Lunds Universitet)和西班牙国家科研委员会（Spanish National Research Council）从事博后工作。2013年至今为中国科学院物理研究所研究员期间兼聘于国家自然科学基金委员会。获得中国科学院卢嘉锡青年人才奖，现任中国科学院大学岗位教授，科技部重点研发计划首席科学家，中国光学学会理事，中国物理学会光物理专业委员会秘书长，中国青年科技工作者协会会员。
研究方向:可见、红外波段材料的近场光学成像，近场红外吸收光谱，时间分辨近场光谱以及纳米尺度上光与物质相互作用产生的各种效应。部分工作收录在Nature、Science、Advanced Materials、Nature Communications、Nano Letters、Small、Journal of the American Chemical Society 、Physical Review Letters等期刊。单篇最高引用1077次。
摘要：在这个报告中，我首先介绍近场光学显微镜的特点与优势。然后回顾低维纳米材料等离激元研究工作上的进展如石墨烯、碳纳米管。其中包含对等离激元的电学调控、缺陷的影响、二维平面内的波前操纵、等离激元与衬底声子耦合、二维材料层间电声耦合、边界电子态的作用等方面。之后我介绍从实空间在传统的III-V族半导体纳米线上观测到低损耗传播的等离激元，以及其与纳米线几何尺寸、周围介电环境的关系。在传统半导体材料中观测到低损耗等离激元的意义在于证明了只要能够有效的对半导体进行参杂，即可在半导体材料中实现与金属类似的等离激元的传播。因为我们可以利用传统的电学手段来调制半导体的参杂浓度，这样就可以实现在利用电控手段对半导体的等离激元进行调控进而实现电场操纵光场，这对亚波长光学各个领域的研究和应用十分关键。
